Dwuwiązkowy implantator jonów zintegrowany z laserem Nd:YAG

Modernizowany w 2006 r.

Dane techniczne:

Główny trakt wiązki jonów stosowanej w metodach IBAD, IBSD oraz implantacji

wiązka jonów analizowana magnetycznie   
zdolność rozdzielcza masowa: dM/M = 1/350
napięcie przyspieszające: 5 - 50 kV
stabilizacja: 10-4
dodatkowe napięcie (przyśpieszające albo spowalniające): 0 - 30 kV
rodzaj przyspieszanych jonów: jony prawie wszystkich pierwiastków za wyjątkiem niektórych platynowców oraz aktynowców
prąd wiązki jonów: do kilku mA
krotność jonizacji: 1 - 5 (w zależności od pierwiastka)
obraz wiązki jonów na powierzchni implantowanego przedmiotu: prostokąt 10 mm x 120 mm

Parametry wiązki jonów stosowanej do rozpylania jonowego materiału pomocniczej tarczy

rodzaj jonów: jony gazów szlachetnych
napięcie przyspieszające: 5 - 45 kV
materiał rozpylanej tarczy: dowolny materiał z ciała stałego
gęstość prądu rozpylanej wiązki jonów: ~500 mA/cm2

Oferta:

  • formowanie dwuwiązkową metodą IBAD (Ion Beam Assisted Deposition) wielopierwiastkowych, wielowarstwowych powłok lub warstw wierzchnich
  • formowanie metodą rozpylania jonowego wielopierwiastkowych, wielowarstwowych powłok lub warstw wierzchnich
  • implantacja jonów
  • separacja izotopów niepromieniotwórczych

Lokalizacja urządzenia:

Zakład Materiałów Magnetycznych i Nanostruktur (NZ34)